SIC 쇼트키 배리어 다이오드

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산업용 전력 시스템용 고효율-탄화규소 쇼트키 배리어 다이오드
까다로운 고전압 전력 변환 애플리케이션용으로 설계된 SiC(실리콘 카바이드) 쇼트키 다이오드입니다.{0}} 고급 SiC 기술을 활용하는 이 장치는 초고속 스위칭 성능, 사실상 제로 역회복 전류, 낮은 스위칭 손실, 뛰어난 열 안정성을 제공하므로 차세대 전력 전자 장치에 이상적인 선택입니다.-
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설명

개요

 

까다로운 고전압 전력 변환 애플리케이션용으로 설계된 SiC(실리콘 카바이드) 쇼트키 다이오드입니다.{0}} 고급 SiC 기술을 활용하는 이 장치는 초고속 스위칭 성능, 사실상 제로 역회복 전류, 낮은 스위칭 손실, 뛰어난 열 안정성을 제공하므로 차세대 전력 전자 장치에 이상적인 선택입니다.-

기존 실리콘 고속 복구 다이오드와 비교하여 SiC 쇼트키 다이오드는 훨씬 더 높은 효율, 감소된 열 발생, 향상된 신뢰성 및 더 높은 작동 온도를 제공합니다. 이러한 장점 덕분에 RTSD10170은 산업용 인버터, 재생 에너지 시스템, EV 충전 인프라 및 고주파{2}}스위칭 전원 공급 장치에 적합합니다.

 

주요 특징

1. 견고한 내전압 기능이 필요한 고전압 애플리케이션용으로 설계되어 까다로운 산업 환경에서 안정적인 작동을 보장합니다.

2. 뛰어난 열 성능으로 최대 10A의 연속 전류 처리를 지원합니다.

3. 제로 역회복 전류로 스위칭 손실과 전자기 간섭(EMI)을 줄입니다.

4. SiC 쇼트키 기술은 온도에 독립적인 스위칭 특성을 구현하므로-고주파 변환기 및 전원 공급 장치에 이상적입니다.

5. 낮은 순방향 전압 강하로 전도 손실을 최소화하고 전체 시스템 효율성을 향상시킵니다.

 

6. 고온 성능
* 최대 접합 온도(Tj): 175도
* 보관 온도 범위: -40도 ~ +175도
탄화규소의 뛰어난 열전도율 덕분에 열악한 조건에서도 안정적인 작동이 가능합니다.

7. 낮은 누설 전류로 고온에서도 높은 효율을 보장합니다.

8. 시스템 확장성과 신뢰성을 향상시키는 정온도 계수.

 

전기적 특성

 

유형 번호

반복적 피크 역전압

평균 순방향 전류 최대

최대 서지 전류

피크 순방향 전압 강하

DC 역방향
현재의

역복구 시간

차원

VRRM

I에프(AV)

IFSM

VFM

I에프(AV)

TA=25도

Trr

V

A

A

V

A

uA

NS

R2000-R3000

2000-3000

0.2

30

3

0.2

5

--

DO-41

R4000-R5000

4000-5000

0.2

30

5

0.2

5

--

DO-15

R2500F-R3000F

2500-3000

0.2

30

5

0.2

5

500

DO-41

R4000-R5000F

4000-5000

0.2

30

6.5

0.2

5

500

DO-15

RL201-RL207

50-1000

2

70

1.1

2

5

--

10A05-10A10

50-1000

10

400

1

10

10

--

DO-27

10SQ030-10SQ100

30-100

10

275

0.55-0.8

10

0.1

--

R-6

12SQ030-12SQ100

30-100

12

275

0.55-0.8

12

0.1

--

15SQ030-15SQ100

30-100

15

275

0.55-0.8

15

0.1

--

20SQ030-20SQ100

30-100

20

275

0.55-0.8

20

0.5

--

GF3045

45

30

400

0.55

30

0.3

--

JK09E

GF4045

45

40

400

0.5

40

0.3

--

GF5045

45

50

400

0.5

50

0.3

--

GF6045

45

60

400

0.55

60

0.3

--

 

SiC 쇼트키 기술의 장점

더 높은 시스템 효율성
역회복 손실이 없기 때문에 특히 고주파수 설계에서 컨버터 효율이 크게 향상됩니다.-

 

냉각 요구 사항 감소
스위칭 손실이 낮으면 열 방출이 줄어들어 방열판이 작아지고 시스템 비용이 낮아집니다.

더 높은 스위칭 주파수
증가된 스위칭 주파수를 지원하므로 설계자는 자기 부품, 커패시터 및 필터의 크기를 줄일 수 있습니다.

 

향상된 신뢰성
넓은 밴드갭 SiC 소재는 다음을 제공합니다.

* 더 높은 항복 강도
* 더 나은 열전도율
* 향상된 서지 기능
* 작동 수명 연장

 

일반적인 응용 분야

태양광 인버터

광전지 전력 변환 시스템의 고효율 정류 및 프리휠링 애플리케이션.-

EV 충전소

높은 효율과 고전압 성능이 필요한 고속-충전 전원 모듈에 적합합니다.-

산업용 모터 드라이브

가변-주파수 드라이브 및 서보 시스템에서 안정적인 작동을 제공합니다.

역률 보정(PFC)

고전력 PFC 회로에서 탁월한 부스트 다이오드 성능-

무정전 전원 공급 장치(UPS)

변환 효율성을 향상시키고 UPS 시스템의 열 스트레스를 줄입니다.

고주파수 스위칭 전원 공급 장치

높은 전력 밀도가 요구되는 통신, 산업 자동화 및 서버 전력 애플리케이션에 적합합니다.

 

RTSD 시리즈는 다양한 애플리케이션 요구 사항을 충족하기 위해 다양한 전압 및 전류 정격을 제공합니다.

이 시리즈는 산업용 전력 변환부터 재생 에너지 및 고전압 전력 장비에 이르기까지 초{0}}고전압- 응용 분야를 다룹니다.

 

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